5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.79 | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-46 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3095 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| JAN2N3097 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| JAN2N3227 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
|
| JAN2N3227UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, C |
|
| JAN2N3250A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
|
| JAN2N3250AUB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
|
| JAN2N3251A | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
|
| JAN2N3251A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
|
| JAN2N326 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-3VAR |
|
| JAN2N333 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25MA I(C) | TO-5 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
