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JAN1N5553

更新时间: 2024-09-18 05:23:15
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美高森美 - MICROSEMI 军事
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE

JAN1N5553 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:SIMILAR TO DO-41, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.21应用:POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:5 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/420G
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

JAN1N5553 数据手册

 浏览型号JAN1N5553的Datasheet PDF文件第2页 

JAN1N5553 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N5553 MICROSEMI

完全替代

RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE
JAN1N5553 SEMTECH

类似代替

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
JANTX1N5553 SEMTECH

类似代替

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,

与JAN1N5553相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5553E3 MICROSEMI

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DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACK
JAN1N5553US MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
JAN1N5553US SEMTECH

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2
JAN1N5554 SEMTECH

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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED
JAN1N5554E3 MICROSEMI

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DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PAC
JAN1N5554US SEMTECH

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2
JAN1N5555 MICROSEMI

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1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
JAN1N5555 VISHAY

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 30.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H
JAN1N5555 SENSITRON

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JAN1N5555TR MICROSEMI

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1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR