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JAN1N5603

更新时间: 2024-11-09 08:43:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网高压二极管
页数 文件大小 规格书
3页 77K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, DF, 2 PIN

JAN1N5603 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-XXSS-X2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.92
Is Samacsys:N应用:HIGH VOLTAGE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):10 VJESD-30 代码:O-XXSS-X2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:SPECIAL SHAPE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/404
最大反向电流:5 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N5603 数据手册

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