是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-XXSS-X2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 应用: | HIGH VOLTAGE |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 10 V | JESD-30 代码: | O-XXSS-X2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 200 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 5 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | SPECIAL SHAPE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MIL-19500/404 |
最大反向电流: | 5 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UNSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5610 | MICROSEMI |
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POWER ZENER RECTIFIER | |
JAN1N5611 | MICROSEMI |
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POWER ZENER RECTIFIER | |
JAN1N5612 | MICROSEMI |
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POWER ZENER RECTIFIER | |
JAN1N5613 | MICROSEMI |
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POWER ZENER RECTIFIER | |
JAN1N5614 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS | |
JAN1N5614 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER | |
JAN1N5614 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, | |
JAN1N5614UL | SENSITRON |
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暂无描述 | |
JAN1N5614US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | |
JAN1N5615 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS |