5秒后页面跳转
JAN1N1206RA PDF预览

JAN1N1206RA

更新时间: 2024-02-20 10:36:40
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

JAN1N1206RA 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.39二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-609代码:e0认证状态:Not Qualified
端子面层:TIN LEADBase Number Matches:1

JAN1N1206RA 数据手册

 浏览型号JAN1N1206RA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JAN1N1206RA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JAN1N1206RA的Datasheet PDF文件第4页 

与JAN1N1206RA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N1614 MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1614R MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1615 MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1615R MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1616 MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1616R MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1742A MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 49.6V V(Z), 5%, 1.6W, Silicon,
JAN1N26BM SKYWORKS

获取价格

Mixer Diode, 600ohm Z(V) Max, 11dB Noise Figure, Silicon
JAN1N26BMR SKYWORKS

获取价格

Mixer Diode, 600ohm Z(V) Max, 11dB Noise Figure, Silicon
JAN1N270 MICROSEMI

获取价格

Optimized for Radio Frequency Response