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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.4 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 15 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/162 | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N1616R | MICROSEMI |
完全替代  |
Military Silicon Power Rectifier |
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| JANTX1N1616 | MICROSEMI |
功能相似 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N1616 | MICROSEMI |
功能相似 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N1742A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 49.6V V(Z), 5%, 1.6W, Silicon, |
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| JAN1N26BM | SKYWORKS |
获取价格 |
Mixer Diode, 600ohm Z(V) Max, 11dB Noise Figure, Silicon |
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| JAN1N26BMR | SKYWORKS |
获取价格 |
Mixer Diode, 600ohm Z(V) Max, 11dB Noise Figure, Silicon |
|
| JAN1N270 | MICROSEMI |
获取价格 |
Optimized for Radio Frequency Response |
|
| JAN1N270R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
|
| JAN1N270X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
|
| JAN1N276 | MICROSEMI |
获取价格 |
Germanium Diodes |
|
| JAN1N276R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
|
| JAN1N276X | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JAN1N277R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium, |
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