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JAN1N276R

更新时间: 2024-01-05 09:16:13
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美高森美 - MICROSEMI /
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1页 37K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium,

JAN1N276R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.74外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:GERMANIUM
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.08 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.3 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

JAN1N276R 数据手册

  

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