JAN1N270

更新时间： 2024-02-24 23:15:45

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美高森美 - MICROSEMI		无线
页数	文件大小	规格书
1页	67K
描述
Optimized for Radio Frequency Response

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JAN1N270 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	GERMANIUM
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.08 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

JAN1N270 数据手册

Gold Bonded

1N270 Germanium Diodes

Optimized for Radio Frequency Response

Can be used in many AM, FM and TV-IF applications, replacing point contact devices.

Applications

AM/FM detectors

DO-7 Glass Package

Ratio detectors

0.018-0.022"

FM discriminators

TV audio detectors

RF input probes

TV video detectors

0.458-.558 mm

1.0"

25.4 mm

(Min.)

Length

0.230-0.30"

Dia

0.085-.107 "

2.16-2.71 mm

5.85-7.62mm

Features

Lower leakage current

Flat junction capacitance

High mechanical strength

At least 1 million hours MTBF

BKC's Sigma-Bond™ plating for

problem free solderability

Absolute Maximum Ratings at T_amb= 25 ^OC

Parameter

Symbols

PIV

I_FSM

I_O

Min.

Max.

100

0.5

325

+90

Units

Volts

Amps

^OC

Peak Inverse Voltage

Surge Current , t = 1 Second

Average Rectified Forward Current

Peak Operating Current

I_OS

Operating and Storage Temperatures

T_{J & STG}

-65

Electrical Characteristics at T_amb= 25 ^OC

Parameter

TestConditions

Symbols

Min.

Typ.

Max.

Units

Forward Voltage Drop

I_F= 200 mA

V_F

1.00

Volts

Breakdown Voltage @ I_R= 1.0 mA

PIV

100

Volts

µA

Reverse Leakage

V_R= 50 Volts

f = 1MHz, V_R= 1 volt

I_R

100

Junction Capacitance

C_J

0.8

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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JAN1N270 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N270-TP	MCC	功能相似	Rectifier Diode, 1 Element, 0.04A, Germanium, DO-7, DO-7, 2 PIN
1N270-BP	MCC	功能相似	Rectifier Diode, 1 Element, 0.04A, Germanium, DO-7, DO-7, 2 PIN

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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JAN1N276	MICROSEMI	获取价格	Germanium Diodes
JAN1N276R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium,
JAN1N276X	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
JAN1N277R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium,
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