JAN1N270X

更新时间： 2024-11-02 13:08:55

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		无线
页数	文件大小	规格书
1页	67K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN1N270X 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	GERMANIUM
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.08 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

JAN1N270X 数据手册

Gold Bonded

1N270 Germanium Diodes

Optimized for Radio Frequency Response

Can be used in many AM, FM and TV-IF applications, replacing point contact devices.

Applications

AM/FM detectors

DO-7 Glass Package

Ratio detectors

0.018-0.022"

FM discriminators

TV audio detectors

RF input probes

TV video detectors

0.458-.558 mm

1.0"

25.4 mm

(Min.)

Length

0.230-0.30"

Dia

0.085-.107 "

2.16-2.71 mm

5.85-7.62mm

Features

Lower leakage current

Flat junction capacitance

High mechanical strength

At least 1 million hours MTBF

BKC's Sigma-Bond™ plating for

problem free solderability

Absolute Maximum Ratings at T_amb= 25 ^OC

Parameter

Symbols

PIV

I_FSM

I_O

Min.

Max.

100

0.5

325

+90

Units

Volts

Amps

^OC

Peak Inverse Voltage

Surge Current , t = 1 Second

Average Rectified Forward Current

Peak Operating Current

I_OS

Operating and Storage Temperatures

T_{J & STG}

-65

Electrical Characteristics at T_amb= 25 ^OC

Parameter

TestConditions

Symbols

Min.

Typ.

Max.

Units

Forward Voltage Drop

I_F= 200 mA

V_F

1.00

Volts

Breakdown Voltage @ I_R= 1.0 mA

PIV

100

Volts

µA

Reverse Leakage

V_R= 50 Volts

f = 1MHz, V_R= 1 volt

I_R

100

Junction Capacitance

C_J

0.8

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

中文翻译

下载PDF

与JAN1N270X相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N276	MICROSEMI	获取价格	Germanium Diodes
JAN1N276R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium,
JAN1N276X	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
JAN1N277R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium,
JAN1N277X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium,
JAN1N2804	MICROSEMI	获取价格	50 Watt Zener Diodes
JAN1N2804A	MICROSEMI	获取价格	50 Watt Zener Diodes
JAN1N2804B	MICROSEMI	获取价格	50 Watt Zener Diodes
JAN1N2804B	MOTOROLA	获取价格	6.8V, 50W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
JAN1N2804C	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 2%, Silicon, Unidirectional, TO-204AD, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PI