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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.65 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 1.6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-S-19500/298 | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 最大电压容差： | 5% |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N26BM | SKYWORKS |
获取价格 |
Mixer Diode, 600ohm Z(V) Max, 11dB Noise Figure, Silicon |
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| JAN1N26BMR | SKYWORKS |
获取价格 |
Mixer Diode, 600ohm Z(V) Max, 11dB Noise Figure, Silicon |
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| JAN1N270 | MICROSEMI |
获取价格 |
Optimized for Radio Frequency Response |
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| JAN1N270R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
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| JAN1N270X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
|
| JAN1N276 | MICROSEMI |
获取价格 |
Germanium Diodes |
|
| JAN1N276R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
|
| JAN1N276X | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JAN1N277R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium, |
|
| JAN1N277X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium, |
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