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JAN1N1615

更新时间: 2024-11-01 23:15:07
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
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2页 115K
描述
Military Silicon Power Rectifier

JAN1N1615 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.39Is Samacsys:N
应用:POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:15 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/162最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向恢复时间:5 µs表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JAN1N1615 数据手册

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JAN1N1615 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium,
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Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium,
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