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IXTV250N075TS

更新时间： 2024-02-06 22:08:13

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	285K
描述
Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS220SMD, 3 PIN

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IXTV250N075TS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (ID)：	250 A
最大漏源导通电阻：	0.004 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	560 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTV250N075TS 数据手册

IXTV250N075T

IXTV250N075TS

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

250

225

200

175

150

125

100

180

160

140

120

100

= - 40ºC

25ºC

= 150ºC

150ºC

25ºC

-40ºC

100 125 150 175 200 225 250

I_D- Amperes

3.5

4.5

5.5

6.5

1.3

V_GS- Volts

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

300

250

200

150

100

= 37.5V

= 25A

= 10mA

= 150ºC

= 25ºC

100 120 140 160 180 200

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

Q_G- NanoCoulombs

V_SD- Volts

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Impedance

Fig. 11. Capacitance

100,000

10,000

1,000

100

1.00

0.10

0.01

f = 1 MHz

iss

oss

rss

0.0001

0.001

0.01

0.1

V_DS- Volts

Pulse Width - Seconds

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

1 2 345

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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