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IXTV250N075TS

更新时间： 2024-02-12 09:25:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	285K
描述
Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS220SMD, 3 PIN

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IXTV250N075TS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (ID)：	250 A
最大漏源导通电阻：	0.004 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	560 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTV250N075TS 数据手册

IXTV250N075T

IXTV250N075TS

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

PLUS220 (IXTV) Outline

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

g_fs

V_DS= 10 V; I_D= 60 A, Note 1

122

C_iss

C_oss

C_rss

9900

1330

285

V_GS= 0 V, V_DS= 25 V, f = 1 MHz

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V_DSS, I_D= 50 A

R_G= 3.3 Ω (External)

Terminals:

1 - Gate

2 - Drain

3 - Source

Tab - Drain

Q_g(on)

Q_gs

200

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V_DSS, I_D= 25 A

Q_gd

R_thJC

R_thCS

0.27°C/W

°C/W

PLUS220

.25

Source-Drain Diode

Symbol

Values

Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic

Min. Typ.

Max.

250

560

1.0

I_S

V_GS= 0 V

PLUS220SMD (IXTV_S) Outline

I_SM

V_SD

t_rr

Pulse width limited by T_JM

I_F= 50 A, V_GS= 0 V, Note 1

I_F= 50 A, -di/dt = 100 A/µs

V_R= 25 V, V_GS= 0 V

Note 1. Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %;

2. On through-hole packages, R_DS(on)Kelvin test contact

location is 5 mm or less from the package body.

PRELIMINARYTECHNICALINFORMATION

The product presented herein is under development. The Technical Specifications

offered are derived from data gathered during objective characterizations of preliminary

engineering lots; but also may yet contain some information supplied during a pre-

production design evaluation. IXYS reserves the right to change limits, test conditions,

and dimensions without notice.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYSMOSFETs andIGBTsarecovered by

oneormoreofthefollowingU.S.patents:

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123B1

6,306,728 B1

6,404,065B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6771478B2

7,005,734B2

7,063,975B2

7,071,537

123 4 5

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与IXTV250N075TS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTV26N50P	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV26N50P	LITTELFUSE	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡	获取价格
IXTV26N60P	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV26N60PS	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV270N055T2	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 55V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTV270N055T2S	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 55V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格

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