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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTM9P15 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
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| IXTM9P20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
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| IXTM9P25 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
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| IXTN102N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXTN110N20L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTN110N20L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTN120P20T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 200V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IXTN120P20T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTN15N100 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) |
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| IXTN170P10P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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