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IXTN102N65X2

更新时间： 2024-09-17 14:56:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅二极管栅极
页数 文件大小 规格书
7页 670K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。 其雪崩能力也增强了器件的强度。 此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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IXTN102N65X2 数据手册

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X2-Class  
Power MOSFET  
VDSS = 650V  
ID25 = 76A  
RDS(on) 30m  
IXTN102N65X2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
miniBLOC  
E153432  
S
G
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
650  
650  
V
V
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
D
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
76  
204  
A
A
Either Source Terminal S can be used as  
the Source Terminal or the Kelvin Source  
(Gate Return) Terminal.  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
25  
3
A
J
PD  
TC = 25C  
595  
50  
W
dv/dt  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
V/ns  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
Features  
International Standard Package  
miniBLOC with Aluminum Nitride  
VISOL  
50/60 Hz, RMS, t = 1minute  
2500  
3000  
V~  
V~  
Isolation  
Low QG  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
IISOL 1mA,  
t = 1s  
Md  
Mounting Torque for Base Plate  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in  
Nm/lb.in  
Weight  
30  
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
650  
V
V
Applications  
3.0  
5.0  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
100 nA  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
IDSS  
25 A  
350 A  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 51A, Note 1  
30 m  
© 2020 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100669B(1/20)  
1234567

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与IXTN102N65X2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTN110N20L2 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTN110N20L2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTN120P20T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 200V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IXTN120P20T LITTELFUSE

获取价格

 		Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTN15N100 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D)
IXTN170P10P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTN17N120L IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1200V, 0.99ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTN17N120L LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTN200N10L2 IXYS

获取价格

 		Linear L2TM Power MOSFET w/ Extended FBSOA
IXTN200N10L2 LITTELFUSE

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 		这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正

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