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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTM8P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3 |
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| IXTM8P50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3 |
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| IXTM9N100 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTM9N95 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTM9P15 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
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| IXTM9P20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
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| IXTM9P25 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
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| IXTN102N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXTN110N20L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTN110N20L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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