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IXTH220N055T PDF预览

IXTH220N055T

更新时间： 2024-02-12 15:11:56
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 195K
描述
Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 55V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXTH220N055T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：220 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：600 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTH220N055T 数据手册

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IXTH220N055T  
IXTQ220N055T  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
Min. Typ. Max.  
TO-247 AD Outline  
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
gfs  
VDS= 10 V; ID = 60 A, Note 1  
75  
120  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
7200  
1270  
285  
pF  
pF  
pF  
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz  
1
2
3
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Resistive Switching Times  
VGS = 10 V, VDS = 30 V, ID = 25 A  
RG = 5 Ω (External)  
36  
62  
53  
53  
ns  
ns  
ns  
ns  
Terminals: 1 - Gate  
3 - Source  
2 - Drain  
Tab - Drain  
Qg(on)  
Qgs  
158  
42  
nC  
nC  
nC  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max.  
Inches  
Min. Max.  
VGS= 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 25 A  
A
A1  
A2  
4.7  
2.2  
2.2  
5.3  
2.54  
2.6  
.185 .209  
.087 .102  
.059 .098  
Qgd  
46  
RthJC  
RthCH  
0.35 ° C/W  
°C/W  
b
b1  
b2  
1.0  
1.65  
2.87  
1.4  
2.13  
3.12  
.040 .055  
.065 .084  
.113 .123  
0.25  
C
D
E
.4  
.8  
.016 .031  
.819 .845  
.610 .640  
20.80 21.46  
15.75 16.26  
Source-Drain Diode  
e
L
L1  
5.20  
19.81 20.32  
4.50  
5.72 0.205 0.225  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
.780 .800  
.177  
TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
∅P 3.55  
Q
3.65  
.140 .144  
IS  
VGS = 0 V  
220  
A
A
5.89  
6.40 0.232 0.252  
R
S
4.32  
6.15 BSC  
5.49  
.170 .216  
242 BSC  
ISM  
VSD  
trr  
Pulse width limited by TJM  
IF = 25 A, VGS = 0 V, Note 1  
600  
1.0  
V
TO-3P (IXTQ) Outline  
IF = 25 A, -di/dt = 100 A/µs  
70  
ns  
VR = 25 V, VGS = 0 V  
Notes: 1. Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %;  
2. On through-hole packages, RDS(on) Kelvin test contact  
location must be 5 mm or less from the package body.  
Pins: 1 - Gate  
2 - Drain  
3 - Source 4, TAB - Drain  
PRELIMINARYTECHNICALINFORMATION  
The product presented herein is under development. The Technical Specifications  
offered are derived from data gathered during objective characterizations of preliminary  
engineering lots; but also may yet contain some information supplied during a pre-  
production design evaluation. IXYS reserves the right to change limits, test conditions,  
and dimensions without notice.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
IXYSMOSFETs andIGBTsarecovered by  
oneormoreofthefollowingU.S.patents:  
4,835,592  
4,850,072  
4,881,106  
4,931,844  
5,017,508  
5,034,796  
5,049,961  
5,063,307  
5,187,117  
5,237,481  
5,381,025  
5,486,715  
6,162,665  
6,259,123B1  
6,306,728 B1  
6,404,065B1  
6,534,343  
6,583,505  
6,683,344  
6,710,405B2  
6,710,463  
6,727,585  
6,759,692  
6771478B2  
7,005,734B2  
7,063,975B2  
7,071,537  
12345

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IXTH220N055T 替代型号

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