Datasheet > IXTH220N055T

IXTH220N055T

更新时间： 2024-02-20 03:43:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	195K
描述
Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 55V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTH220N055T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	220 A	最大漏源导通电阻：	0.004 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH220N055T 数据手册

IXTH220N055T

IXTQ220N055T

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

180

160

140

120

100

270

240

210

180

150

120

= - 40ºC

25ºC

150ºC

= 150ºC

25ºC

-40ºC

120

150

180

210

240

270

160

3.5

0.4

4.5

5.5

6.5

1.3

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

300

270

240

210

180

150

120

= 27.5V

= 25A

= 10mA

= 150ºC

= 25ºC

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

100

120

140

Q_G- NanoCoulombs

V_SD- Volts

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Impedance

Fig. 11. Capacitance

10,000

1,000

100

1.00

0.10

0.01

iss

oss

rss

f = 1 MHz

0.0001

0.001

0.01

0.1

V_DS- Volts

Pulse Width - Seconds

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

1 2 345

下载PDF

与IXTH220N055T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTH220N075T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格
IXTH22N50P	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTH22N50P	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTH22P15	IXYS	Transistor,	获取价格
IXTH22P20	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 22A I(D) \| TO-218VAR	获取价格
IXTH23N25MA	IXYS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格