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IXTA08N100D2

更新时间： 2023-12-06 20:03:09

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力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	304K
描述
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或

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IXTA08N100D2 数据手册

IXTY08N100D2 IXTA08N100D2

IXTP08N100D2

TO-252 AA Outline

TO-263 Outline

TO-220 Outline

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

0.43 [11.0]

0

5.55MIN

OPTIONAL

EJECTOR

0.34 [8.7]

0.66 [16.6]

6.50MIN

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

0.20 [5.0]

0.10 [2.5]

0.12 [3.0]

0.06 [1.6]

6.40

2.28

3X b

3X b2

2.85MIN

1.25MIN

BOTTOM

VIEW

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

LAND PATTERN RECOMMENDATION

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1...3 4 567

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTA08N100D2HV	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu	获取价格
IXTA08N100D2HV	LITTELFUSE	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电	获取价格
IXTA08N100D2-TRL	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTA08N100P	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTA08N100P	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTA08N120P	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1200V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格