Datasheet > IXFX90N60X

IXFX90N60X

更新时间： 2024-11-05 19:49:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	205K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFX90N60X 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Base Number Matches：	1

IXFX90N60X 数据手册

Preliminary Technical Information

X-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 90A

R_DS(on) 38m

IXFK90N60X

IXFX90N60X

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264P (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

600

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

200

I_A

E_AS

T_C= 25C

Tab

P_D

T_C= 25C

1100

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Tab = Drain

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

20..120 /4.5..27

Low Package Inductance

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600

Applications

2.5

4.5



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

Power Supplies



DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

I_DSS

50 A

1.5 mA



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

38 m

DS100659B(8/15)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXFX90N60X相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX94N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiPerFET Power MOSFET
IXFX94N50P2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX98N50P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFX98N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFY26N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFY30N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFY36N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFY4N60P3	IXYS	获取价格	Power MOSFET
IXFY4N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFY4N60P3_18	IXYS	获取价格	Power MOSFET