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IXFZ140N25T

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	175K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXFZ140N25T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.38
Base Number Matches：	1

IXFZ140N25T 数据手册

Advance Technical Information

GigaMOS^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 100A

R_DS(on)≤ 17mΩ

IXFZ140N25T

t_rr

≤ 200ns

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

DE475

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

Isolated Tab

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

100

400

I_A

T_C= 25°C

Features

E_AS

P_D

T_C= 25°C

445

^zSilicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

dv/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

^zIsolated Substrate

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

- Excellent Thermal Transfer

- Increased Temperature and Power

Cycling Capability

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

- High Isolation Voltage (2500V~)

^zVery High Current Handling

Capability

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zFast Intrinsic Diode

^zAvalanche Rated

F_C

Mounting Force

20..120 / 4.5..27

N/lb.

Advantages

Weight

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

250

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

5.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

±200 nA

I_DSS

50 μA

3 mA

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

T_J= 125°C

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 60A, Note 1

17 mΩ

DS100267(05/10)

12 3 4 5 6

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