型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFP4N60P3 | IXYS |
完全替代 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTA4N60P | IXYS |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFY4N60P3_18 | IXYS |
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Power MOSFET | |
IXFY4N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 | |
IXFY5N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFZ11N100 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFZ12N90 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFZ140N25T | IXYS |
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GigaMOS HiperFET Power MOSFET | |
IXFZ140N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFZ18N65 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFZ21N60 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFZ24N50 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |