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IXFY4N85X

更新时间： 2024-11-06 14:56:23

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力特 - LITTELFUSE		高电压电源栅二极管
页数	文件大小	规格书
7页	356K
描述
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通电阻，因此能够在高电压电源转换应用中实现高功率密度。这种器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有低栅

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IXFY4N85X 数据手册

X-Class HiPERFET

Power MOSFET

V_DSS= 850V

I_D25= 3.5A

R_DS(on) 2.5

IXFY4N85X

IXFA4N85X

IXFP4N85X

N-Channel Enhancement Mode

TO-252

(IXFY)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263

(IXFA)

T_J= 25C to 150C

850

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

TO-220

(IXFP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

3.5

10.0

I_A

T_C= 25C

E_AS

125

V/ns

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

D (Tab)

150

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

Nm/lb.in

1.13 / 10

Low Package Inductance

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

850

Applications

3.0

5.5



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

A

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



I_DSS



T_J= 125C

500 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 2A, Notes 1& 2

2.5





Robotics and Servo Controls

DS100768B(11/19)

12 3 4 5 6 7

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