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IXFX90N60X

更新时间： 2024-11-05 19:48:31

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	254K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFX90N60X 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXFX90N60X 数据手册

Preliminary Technical Information

X-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 90A

R_DS(on) 38m

IXFK90N60X

IXFX90N60X

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264P (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

600

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

200

I_A

E_AS

T_C= 25C

Tab

P_D

T_C= 25C

1100

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Tab = Drain

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

20..120 /4.5..27

Low Package Inductance

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600

Applications

2.5

4.5



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

Power Supplies



DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

I_DSS

50 A

1.5 mA



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

38 m

DS100659B(8/15)

12 3 4 5 6

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