IXFH12N100P

更新时间： 2024-02-09 08:25:42

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	174K
描述
Polar HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH12N100P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH12N100P 数据手册

IXFH12N100P IXFV12N100P

IXFV12N100PS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

PLUS220 Outline

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

g_fs

V_DS= 20V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

Gate Input Resistance

4.8

8.8

R_Gi

1.9

C_iss

C_oss

C_rss

4080

246

V_GS= 0V, V_DS= 25V, f = 1MHz

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Resistive Switching Times

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

R_G= 2Ω (External)

Q_g(on)

Q_gs

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

Q_gd

R_thJC

R_thCS

0.27 °C/W

°C/W

(TO-247&PLUS220)

0.25

Source-Drain Diode

Characteristic Values

T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

I_S

V_GS= 0V

I_SM

V_SD

Repetitive, Pulse Width Limited by T_JM

I_F= I_S, V_GS= 0V, Note 1

TO-247 Outline

1.5

t_rr

300 ns

I_F= 6A, -di/dt = 100A/μs

Q_RM

I_RM

0.8

μC

∅ P

V_R= 100V, V_GS= 0V

7.9

Note

1: Pulse test, t ≤ 300μs, duty cycle, d ≤ 2%.

Terminals: 1 - Gate

2 - Drain

3 - Source

PLUS220SMD Outline

Dim.

Millimeter

Inches

Min. Max.

A₁

A₂

4.7

2.2

5.3

2.54

2.6

.185 .209

.087 .102

.059 .098

b₁

b₂

1.0

1.65

2.87

1.4

2.13

3.12

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72 0.205 0.225

19.81 20.32

4.50

.780 .800

.177

∅P 3.55

3.65

.140 .144

5.89

6.40 0.232 0.252

4.32

6.15 BSC

5.49

.170 .216

242 BSC

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

6,534,343

6,583,505

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

123 4

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IXFH12N100P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW11NK100Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Pr
STW20NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
STW12NK90Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 900V - 0.72 ohm - 11A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH12N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
IXFH12N100Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH12N100QS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFH12N120	IXYS	获取价格	High Voltage HiPerFET Power MOSFET
IXFH12N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH12N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH12N50	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH12N50F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFH12N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
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