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IXDH20N120AU1

更新时间： 2024-02-25 22:46:46

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	343K
描述
TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 30A I(C) \| TO-247AD

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IXDH20N120AU1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	34 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	100 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	90 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	450 ns	标称接通时间 (ton)：	120 ns
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXDH20N120D1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
IXDH20N120D1	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDH30N120	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
IXDH30N120	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDH30N120AU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247AD
IXDH30N120D1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
IXDH30N120D1	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDH35N60B	IXYS	获取价格	IGBT with optional Diode
IXDH35N60B	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDH35N60BD1	IXYS	获取价格	IGBT with optional Diode