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IXDH20N120D1

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	151K
描述
D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗，同时还具有短路功能。该D系列产品还提供方形反向偏压安全工作区(RBSOA)，可提高钳位感应负载电流，让

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IXDH20N120D1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW SATURATION VOLTAGE, LOW SWITCHING LOSSES	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	38 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	275 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	570 ns	标称接通时间 (ton)：	175 ns
Base Number Matches：	1

IXDH20N120D1 数据手册

IXDH 20N120

IXDH 20N120 D1 I_C25

V_CES

= 1200 V

= 38 A

High Voltage IGBT

with optional Diode

V_{CE(sat) typ}= 2.4 V

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

TO-247 AD

C (TAB)

G = Gate,

C = Collector ,

E = Emitter

TAB = Collector

IXDH 20N120 IXDH 20N120 D1

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

●

NPT IGBT technology

low saturation voltage

low switching losses

square RBSOA, no latch up

high short circuit capability

positive temperature coefficient for

easy paralleling

MOS input, voltage controlled

optional ultra fast diode

International standard package

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

●

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 20 kΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±±0

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

±8

●

T_C= 90°C

T_C= 90°C, t_p= 1 ms

RBSOA

V_GE= ±15 V, T_J= 125°C, R_G= 82 Ω

Clamped inductive load, L = ±0 µH

I_CM= ±5

V_CEK< V_CES

Advantages

t_SC

(SCSOA)

V_GE= ±15 V, V_CE= V_CES, T_J= 125°C

R_G= 82 Ω, non repetitive

µs

●

Space savings

High power density

●

P_C

T_C= 25°C

IGBT

Diode

200

Typical Applications

T_J

-55 ... +150

-40< ... +150

±00

°C

●

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninteruptible power supplies (UPS)

T_stg

●

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

●

Switch-mode and resonant-mode

M_d

Mounting torque

0.8 - 1.2

power supplies

Weight

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_(BR)CES

V_GE(th)

I_CES

V_GE= 0 V

1200

4.5

I_C= 0.6 mA, V_CE= V_GE

6.5

V_CE= V_CES

T_J= 25°C

T_J= 125°C

1 mA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= 20 A, V_GE= 15 V

± 500 nA

V_CE(sat)

2.4

1 - 4

12 3 4 5

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与IXDH20N120D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXDH30N120	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
IXDH30N120	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDH30N120AU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247AD
IXDH30N120D1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
IXDH30N120D1	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDH35N60B	IXYS	获取价格	IGBT with optional Diode
IXDH35N60B	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDH35N60BD1	IXYS	获取价格	IGBT with optional Diode
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