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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FAST | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 100 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 130 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 400 ns | 标称接通时间 (ton)： | 75 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXDH30N120D1 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT with optional Diode |
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| IXDH30N120D1 | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 |
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| IXDH35N60B | IXYS |
获取价格 |
IGBT with optional Diode |
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| IXDH35N60B | LITTELFUSE |
获取价格 |
D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 |
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| IXDH35N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
IGBT with optional Diode |
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| IXDI402PI | IXYS |
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2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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| IXDI402SI | IXYS |
获取价格 |
2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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| IXDI402SI-16 | IXYS |
获取价格 |
2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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| IXDI402SIA | IXYS |
获取价格 |
2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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| IXDI402SIA-16 | IXYS |
获取价格 |
2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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