是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.65 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW SWITCHING LOSSES | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 60 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值: | 6.5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JEDEC-95代码: | TO-247AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 570 ns | 标称接通时间 (ton): | 170 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXDH30N120AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD | |
IXDH30N120D1 | IXYS |
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High Voltage IGBT with optional Diode | |
IXDH30N120D1 | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT(非穿通型)器件,适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 | |
IXDH35N60B | IXYS |
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IGBT with optional Diode | |
IXDH35N60B | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT(非穿通型)器件,适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 | |
IXDH35N60BD1 | IXYS |
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IGBT with optional Diode | |
IXDI402PI | IXYS |
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2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers | |
IXDI402SI | IXYS |
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2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers | |
IXDI402SI-16 | IXYS |
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2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers | |
IXDI402SIA | IXYS |
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2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |