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IXDH30N120

更新时间： 2024-11-20 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	152K
描述
D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗，同时还具有短路功能。该D系列产品还提供方形反向偏压安全工作区(RBSOA)，可提高钳位感应负载电流，让

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IXDH30N120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW SWITCHING LOSSES	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	570 ns	标称接通时间 (ton)：	170 ns
Base Number Matches：	1

IXDH30N120 数据手册

IXDH 30N120

IXDH 30N120 D1

V_CES

I_C25

V_{CE(sat) typ}= 2.4 V

= 1200 V

= 60 A

High Voltage IGBT

with optional Diode

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

TO-247 AD (IXDH)

C (TAB)

IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1

G = Gate,

C = Collector ,

E = Emitter

TAB = Collector

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

• NPT IGBT technology

• low saturation voltage

• low switching losses

• square RBSOA, no latch up

• high short circuit capability

• positive temperature coefficient for

easy paralleling

• MOS input, voltage controlled

• optional ultra fast diode

• International standard packages

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 20 kΩ

1200

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 90°C; t_p= 1 ms

RBSOA

_GE= 15 V; T_J= 125°C; R_G= 47 Ω

I_CM= 50

V_CEK< V_CES

Clamped inductive load; L = 30 µH

Advantages

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V; V_CE= V_CES; T_J= 125°C

R_G= 47 Ω, non repetitive

µs

• Space savings

• High power density

• IXDT:

P_C

T_C= 25°C;

IGBT

300

135

Diode

surface mountable high power package

T_J

T_stg

-55 ... +150

-40 ... +150

°C

Typical Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninteruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

M_d

Mounting torque

1.1/10 Nm/lb.in.

Weight

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_(BR)CES

V_GE(th)

I_CES

V_GE= 0 V

1200

4.5

I_C= 1 mA; V_CE= V_GE

6.5

V_CE= V_CES

;

T_J= 25°C

T_J= 125°C

1.5 mA

2.5

2.4

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

500 nA

V_CE(sat)

I_C= 30 A; V_GE= 15 V

2.9

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXDH30N120AU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247AD
IXDH30N120D1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
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