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IXDH30N120

更新时间： 2024-02-27 05:56:32

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IXYS		晶体二极管晶体管开关电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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4页	90K
描述
High Voltage IGBT with optional Diode

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IXDH30N120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW SWITCHING LOSSES	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	570 ns	标称接通时间 (ton)：	170 ns
Base Number Matches：	1

IXDH30N120 数据手册

IXDH 30N120

IXDH 30N120 D1

IXDT 30N120

V_CES

I_C25

V_{CE(sat) typ}= 2.4 V

= 1200 V

= 60 A

High Voltage IGBT

with optional Diode

IXDT 30N120 D1

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

TO-247 AD (IXDH)

C (TAB)

IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1

IXDT 30N120 IXDT 30N120 D1

TO--268 AA (IXDT)

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

C (TAB)

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 20 kW

G = Gate,

C = Collector ,

E = Emitter

TAB = Collector

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

Features

T_C= 90°C, t_p= 1 ms

●

NPT IGBT technology

●

low saturation voltage

low switching losses

RBSOA

V_GE= ±15 V, T_J= 125°C, R_G= 47 W

Clamped inductive load, L = 30 µH

I_CM= 50

V_CEK< V_CES

square RBSOA, no latch up

high short circuit capability

positive temperature coefficient for

easy paralleling

MOS input, voltage controlled

optional ultra fast diode

International standard packages

t_SC

(SCSOA)

V_GE= ±15 V, V_CE= V_CES, T_J= 125°C

R_G= 47 W, non repetitive

µs

P_C

T_C= 25°C

IGBT

300

135

●

Diode

T_J

-55 ... +150

300

°C

T_stg

Advantages

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

●

Space savings

High power density

IXDT:

●

M_d

Mounting torque

1.1/10 Nm/lb.in.

surfacemountablehighpowerpackage

Weight

Typical Applications

●

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninteruptible power supplies (UPS)

●

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

●

Switch-mode and resonant-mode

V_(BR)CES

V_GE(th)

I_CES

V_GE= 0 V

1200

4.5

power supplies

I_C= 1 mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES

6.5

T_J= 25°C

T_J= 125°C

1.5 mA

2.5

2.4

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ± 20 V

I_C= 30 A, V_GE= 15 V

± 500 nA

V_CE(sat)

2.9

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXDH30N120AU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247AD
IXDH30N120D1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
IXDH30N120D1	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDH35N60B	IXYS	获取价格	IGBT with optional Diode
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