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Datasheet > 晶体管 > IGBT> ISL9V3036S3S
ISL9V3036S3S PDF预览

ISL9V3036S3S

更新时间： 2024-11-15 22:26:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管双极性晶体管栅汽车点火
页数 文件大小 规格书
8页 195K
描述
EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT

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ISL9V3036S3S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：PLASTIC,D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.13Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：21 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间（tf）：15000 ns门极发射器阈值电压最大值：2.2 V
门极-发射极最大电压：12 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：7000 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：7600 ns标称接通时间 (ton)：2800 ns
Base Number Matches：1

ISL9V3036S3S 数据手册

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April 2002  
ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3  
TM  
EcoSPARK 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT  
General Description  
Applications  
•
•
Automotive Ignition Coil Driver Circuits  
Coil- On Plug Applications  
The ISL9V3036D3S, ISL9V3036S3S, and ISL9V3036P3 are the  
next generation IGBTs that offer outstanding SCIS capability in the  
space saving D-Pak (TO-252), as well as the industry standard D²-  
Pak (TO-263) and TO-220 plastic packages. These devices are  
intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil  
drivers. Internal diodes provide voltage clamping without the need  
for external components.  
Features  
2
•
•
•
Industry Standard D -Pak package  
o
SCIS Energy = 300mJ at T = 25 C  
J
Logic Level Gate Drive  
EcoSPARK™ devices can be custom made to specific clamp  
voltages. Contact your nearest Fairchild sales office for more  
information.  
Formerly Developmental Type 49442  
Package  
Symbol  
COLLECTOR  
JEDEC TO-252AA  
D-Pak  
JEDEC TO-263AB  
D²-Pak  
JEDEC TO-220AB  
E
C
G
R1  
R2  
GATE  
G
G
E
E
EMITTER  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Device Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
J
Symbol  
Parameter  
Collector to Emitter Breakdown Voltage (I = 1 mA)  
Ratings  
Units  
V
BV  
BV  
360  
24  
CER  
ECS  
C
Emitter to Collector Voltage - Reverse Battery Condition (I = 10 mA)  
V
C
E
T = 25°C, I = 14.2A, L = 3.0 mHy  
SCIS  
300  
mJ  
mJ  
A
SCIS25  
J
E
T = 150°C, I = 10.6A, L = 3.0 mHy  
SCIS  
170  
SCIS150  
J
I
Collector Current Continuous, At T = 25°C, See Fig 9  
21  
C25  
C
I
Collector Current Continuous, At T = 110°C, See Fig 9  
17  
A
C110  
C
V
Gate to Emitter Voltage Continuous  
±10  
V
GEM  
P
Power Dissipation Total T = 25°C  
150  
W
D
C
Power Dissipation Derating T > 25°C  
1.0  
W/°C  
°C  
°C  
°C  
°C  
kV  
C
T
Operating Junction Temperature Range  
-40 to 175  
-40 to 175  
300  
J
T
Storage Junction Temperature Range  
STG  
T
Max Lead Temp for Soldering (Leads at 1.6mm from Case for 10s)  
Max Lead Temp for Soldering (Package Body for 10s)  
Electrostatic Discharge Voltage at 100pF, 1500Ω  
L
T
260  
pkg  
ESD  
4
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3 Rev. C2, April 2002  
12345678

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ISL9V3036S3S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ISL9V3036S3ST ONSEMI

类似代替

 360 V、17 A、1.58 V、300 mJ、D2PAKEcoSPARK® I、N 沟

与ISL9V3036S3S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9V3036S3SL86Z FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 350V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
ISL9V3036S3SL99Z FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 350V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
ISL9V3036S3ST FAIRCHILD

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 		EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3036S3ST ONSEMI

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 		360 V、17 A、1.58 V、300 mJ、D2PAKEcoSPARK® I、N 沟
ISL9V3036S3ST-F085C ONSEMI

获取价格

 		IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300mJ, D2PAKEcoSPARK®
ISL9V3036S3STL86Z FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 350V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
ISL9V3036S3STL99Z FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 350V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
ISL9V3036S3STS62Z FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 350V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
ISL9V3040D3S FAIRCHILD

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 		EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3040D3S ONSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor

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