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ISL9R860P2_NL

更新时间： 2024-11-16 19:42:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 316K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, TO-220AC, 2 PIN

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ISL9R860P2_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AC
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220AC, 2 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.55
其他特性：SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：85 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ISL9R860P2_NL 数据手册

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October 2009  
ISL9R860P2, ISL9R860S3ST  
8A, 600V Stealth™ Diode  
General Description  
The ISL9R860P2, ISL9R860S2 and ISL9R860S3S are  
Stealth™ diodes optimized for low loss performance in  
high frequency hard switched applications. The  
Stealth™ family exhibits low reverse recovery current  
(IRRM) and exceptionally soft recovery under typical  
operating conditions.  
Features  
• Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tb / ta > 2.5  
• Fast Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . trr < 25ns  
• Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . 175oC  
• Reverse Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
• Avalanche Energy Rated  
This device is intended for use as a free wheeling or  
boost diode in power supplies and other power  
switching applications. The low IRRM and short ta phase  
reduce loss in switching transistors. The soft recovery  
minimizes ringing, expanding the range of conditions  
under which the diode may be operated without the use  
of additional snubber circuitry. Consider using the  
Stealth™ diode with an SMPS IGBT to provide the  
most efficient and highest power density design at  
lower cost.  
Applications  
• Switch Mode Power Supplies  
• Hard Switched PFC Boost Diode  
• UPS Free Wheeling Diode  
• Motor Drive FWD  
• SMPS FWD  
Formerly developmental type TA49409.  
• Snubber Diode  
Package  
Symbol  
JEDEC TO-263AB  
JEDEC TO-220AC  
K
CATHODE  
(FLANGE)  
ANODE  
CATHODE  
CATHODE  
(FLANGE)  
N/C  
ANODE  
A
Device Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
600  
600  
600  
8
Units  
V
V
V
A
V
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
RRM  
V
RWM  
V
R
o
I
Average Rectified Forward Current (T = 147 C)  
F(AV)  
C
I
I
Repetitive Peak Surge Current (20kHz Square Wave)  
Nonrepetitive Peak Surge Current (Halfwave 1 Phase 60Hz)  
Power Dissipation  
Avalanche Energy (1A, 40mH)  
Operating and Storage Temperature Range  
16  
100  
85  
20  
A
A
W
mJ  
°C  
FRM  
FSM  
P
D
E
AVL  
T , T  
-55 to 175  
J
STG  
T
PKG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334  
L
T
300  
260  
°C  
°C  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
ISL9R860P2, ISL9R860S3ST Rev. C2  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9R860PF2 FAIRCHILD

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 		8A，600V，STEALTH™ 二极管
ISL9R860PF2_NL FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, T
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB,
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