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Datasheet > 晶体管 > IGBT> ISL9V2040S3ST
ISL9V2040S3ST PDF预览

ISL9V2040S3ST

更新时间： 2024-11-16 03:50:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管双极性晶体管栅汽车点火
页数 文件大小 规格书
8页 165K
描述
EcoSPARKTM 200mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT

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ISL9V2040S3ST 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：PLASTIC,D2PAK-3针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.21
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：390 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
门极发射器阈值电压最大值：2.3 V门极-发射极最大电压：12 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：130 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：6000 ns标称接通时间 (ton)：2780 ns
Base Number Matches：1

ISL9V2040S3ST 数据手册

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October 2004  
ISL9V2040D3S / ISL9V2040S3S / ISL9V2040P3  
TM  
EcoSPARK 200mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT  
General Description  
Applications  
The ISL9V2040D3S, ISL9V2040S3S, and ISL9V2040P3 are the  
next generation ignition IGBTs that offer outstanding SCIS  
capability in the space saving D-Pak (TO-252), as well as the  
industry standard D²-Pak (TO-263) and TO-220 plastic packages.  
This device is intended for use in automotive ignition circuits,  
specifically as a coil driver. Internal diodes provide voltage clamping  
without the need for external components.  
•
•
Automotive Ignition Coil Driver Circuits  
Coil- On Plug Applications  
Features  
•
•
•
Space saving D - Pak package available  
o
SCIS Energy = 200mJ at T = 25 C  
J
Logic Level Gate Drive  
EcoSPARK™ devices can be custom made to specific clamp  
voltages. Contact your nearest Fairchild sales office for more  
information.  
Formerly Developmental Type 49444  
Package  
Symbol  
COLLECTOR  
JEDEC TO-252AA  
D-Pak  
JEDEC TO-263AB  
D²-Pak  
JEDEC TO-220AB  
E
C
G
R1  
R2  
GATE  
G
G
E
E
EMITTER  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Device Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Collector to Emitter Breakdown Voltage (I = 1 mA)  
Ratings  
Units  
V
BV  
BV  
430  
24  
CER  
ECS  
C
Emitter to Collector Voltage - Reverse Battery Condition (I = 10 mA)  
V
C
E
At Starting T = 25°C, I = 11.5A, L = 3.0mHy  
SCIS  
200  
mJ  
mJ  
A
SCIS25  
J
E
At Starting T = 150°C, I = 8.9A, L = 3.0mHy  
SCIS  
120  
SCIS150  
J
I
Collector Current Continuous, At T = 25°C, See Fig 9  
10  
C25  
C
I
Collector Current Continuous, At T = 110°C, See Fig 9  
10  
A
C110  
C
V
Gate to Emitter Voltage Continuous  
±10  
V
GEM  
P
Power Dissipation Total T = 25°C  
130  
W
D
C
Power Dissipation Derating T > 25°C  
0.87  
-40 to 175  
-40 to 175  
300  
W/°C  
°C  
°C  
°C  
°C  
kV  
C
T
Operating Junction Temperature Range  
J
T
Storage Junction Temperature Range  
STG  
T
Max Lead Temp for Soldering (Leads at 1.6mm from Case for 10s)  
Max Lead Temp for Soldering (Package Body for 10s)  
Electrostatic Discharge Voltage at 100pF, 1500Ω  
L
T
260  
pkg  
ESD  
4
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
ISL9V2040D3S / ISL9V2040S3S / ISL9V2040P3 Rev. B3, October 2004  
12345678

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ISL9V2040S3ST 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ISL9V2040S3ST ONSEMI

类似代替

 430 V、10 A、1.95 V、200 mJ、DPAKEcoSPARK® I、N 沟道
ISL9V2040S3S FAIRCHILD

类似代替

 EcoSPARKTM 200mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT

与ISL9V2040S3ST相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9V2040S3STL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
ISL9V2040S3STS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
ISL9V2540S3S FAIRCHILD

获取价格

 		EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT
ISL9V2540S3S_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 15.5A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FR
ISL9V2540S3ST FAIRCHILD

获取价格

 		EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT
ISL9V2540S3ST ONSEMI

获取价格

 		430 V、15 A、1.77 V、250 mJ、D2PAKEcoSPARK® I、N 沟
ISL9V2540S3ST_09 FAIRCHILD

获取价格

 		EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT 250mJ, 400V
ISL9V2540S3ST_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 15.5A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FR
ISL9V2540S3ST-F085C ONSEMI

获取价格

 		IGBT, 430V, 15A, 1.77V, 250mJ, D2PAKEcoSPARK®
ISL9V2540S3ST-SB49015 FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 15.5A I(C), 450V V(BR)CES, N-Channel

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