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IS62WV6416ALL-55B2I

更新时间： 2024-11-18 03:15:55

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器
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64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62WV6416ALL-55B2I 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/2 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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IS62WV6416ALL

IS62WV6416BLL

ISSI

64K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

JUNE2005

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV6416ALL/ IS62WV6416BLL are high-

speed, 1M bit static RAMs organized as 64K words by 16

bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

• High-speed access time: 45ns, 55ns

• CMOS low power operation:

30 mW (typical) operating

15 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected) or when CS1 is LOW, CS2 is HIGH and both

LBandUBareHIGH, thedeviceassumesastandbymode

at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

1.7V--2.2V V^DD(62WV6416ALL)

2.5V--3.6V V^DD(62WV6416BLL)

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory. A

data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• 2CS Option Available

TheIS62WV6416ALLandIS62WV6416BLLarepackaged

intheJEDECstandard48-pinminiBGA(6mmx8mm)and

44-Pin TSOP (TYPE II).

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. B

06/03/05

12 3 4 5 6 7...17

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