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IS62WV6416BLL-55TLI

更新时间： 2024-01-09 20:38:24

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
17页	111K
描述
64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62WV6416BLL-55TLI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	2.07
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	18.415 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000005 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS62WV6416BLL-55TLI 数据手册

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IS62WV6416ALL

IS62WV6416BLL

ISSI

64K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

JUNE2005

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV6416ALL/ IS62WV6416BLL are high-

speed, 1M bit static RAMs organized as 64K words by 16

bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

• High-speed access time: 45ns, 55ns

• CMOS low power operation:

30 mW (typical) operating

15 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected) or when CS1 is LOW, CS2 is HIGH and both

LBandUBareHIGH, thedeviceassumesastandbymode

at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

1.7V--2.2V V^DD(62WV6416ALL)

2.5V--3.6V V^DD(62WV6416BLL)

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory. A

data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• 2CS Option Available

TheIS62WV6416ALLandIS62WV6416BLLarepackaged

intheJEDECstandard48-pinminiBGA(6mmx8mm)and

44-Pin TSOP (TYPE II).

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. B

06/03/05

12 3 4 5 6 7...17

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IS62WV6416BLL-55TLI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY62126DV30LL-55ZIT	CYPRESS	类似代替	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY62126EV30LL-45ZSXI	CYPRESS	功能相似	1-Mbit (64K x 16) Static RAM

与IS62WV6416BLL-55TLI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62WV6416DALL	ISSI	获取价格	64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV6416DALL/DBLL	ISSI	获取价格	64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV6416DALL-55BLI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 8 X 6 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48
IS62WV6416DBLL-45B2LI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 8 X 6 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48
IS62WV6416DBLL-45TI	ISSI	获取价格	64KX16 STANDARD SRAM, 45ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
IS6305A	ISSI	获取价格	Digital Signal Processor, 16-Ext Bit, 29.4912MHz, MOS, PQFP80, QFP-80
IS63C1024-10JI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IS63C1024-10K	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IS63C1024-10KI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IS63C1024-10T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32

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