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IS63C1024-10KI

更新时间： 2024-09-13 19:11:07

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美国芯成 - ISSI		输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	206K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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IS63C1024-10KI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	10 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.955 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ32,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.683 mm	最大待机电流：	0.005 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS63C1024-10T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32
IS63C1024-10TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32
IS63C1024-12J	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IS63C1024-12K	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IS63C1024-12KI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IS63C1024-12T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32
IS63C1024-12TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32
IS63C1024-15J	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IS63C1024-15K	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IS63C1024-15KI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32