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IS62WV6416DBLL-45TI

更新时间： 2024-09-14 10:06:43

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	431K
描述
64KX16 STANDARD SRAM, 45ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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IS62WV6416DBLL-45TI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	0.400 INCH, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.6
最长访问时间：	45 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000004 A	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.008 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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IS62WV6416DALL/DBLL

IS65WV6416DALL/DBLL

64K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

DECEMBER 2012

FEATURES

DESCRIPTION

TheꢀISSIꢀIS62/65WV6416DALLꢀandꢀIS62/65WV6416DBLLꢀ

areꢀꢀhigh-speed,ꢀ1MꢀbitꢀstaticꢀRAMsꢀorganizedꢀasꢀ64Kꢀwordsꢀ

byꢀ16ꢀbits.ꢀItꢀisꢀfabricatedꢀusingꢀISSI'sꢀhigh-performanceꢀ

CMOSꢀtechnology.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀcoupledꢀ

withꢀ innovativeꢀ circuitꢀ designꢀ techniques,ꢀ yieldsꢀ high-

performanceꢀandꢀlowꢀpowerꢀconsumptionꢀdevices.

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ35ns,ꢀ45ns,ꢀ55ns

•ꢀ CMOSꢀlowꢀpowerꢀoperation:

ꢀ 15ꢀmWꢀ(typical)ꢀoperating

ꢀ 1.5ꢀµWꢀ(typical)ꢀCMOSꢀstandby

•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinterfaceꢀlevels

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupplyꢀꢀ

WhenꢀCS1ꢀisꢀHIGHꢀ(deselected)ꢀorꢀwhenꢀCS2ꢀisꢀLOW

(deselected)ꢀorꢀwhen CS1ꢀisꢀLOW,ꢀCS2ꢀisꢀHIGHꢀandꢀbothꢀ

LBꢀandꢀUBꢀareꢀHIGH,ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀstandbyꢀmodeꢀ

atꢀwhichꢀtheꢀpowerꢀdissipationꢀcanꢀbeꢀreducedꢀdownꢀwithꢀ

CMOSꢀinputꢀlevels.

ꢀ 1.65V--2.2VꢀVdd (62WV6416dALL)

ꢀ ꢀ2.3V--3.6VꢀVdd (65WV6416dBLL)

EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ

andꢀOutputꢀEnableꢀinputs.ꢀTheꢀactiveꢀLOWꢀWriteꢀEnableꢀ

(WE)ꢀcontrolsꢀbothꢀwritingꢀandꢀreadingꢀofꢀtheꢀmemory.ꢀAꢀ

dataꢀbyteꢀallowsꢀUpperꢀByteꢀ(UB)ꢀandꢀLowerꢀByteꢀ(LB)ꢀ

access.

•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefresh

required

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

•ꢀ Dataꢀcontrolꢀforꢀupperꢀandꢀlowerꢀbytes

•ꢀ Industrialꢀandꢀautomotiveꢀtemperatureꢀsupport

•ꢀ 2CSꢀOptionꢀAvailable

TheꢀIS62/65WV6416DALLꢀandꢀIS62/65WV6416DBLLꢀareꢀ

packagedꢀinꢀtheꢀJEDECꢀstandardꢀ48-pinꢀminiꢀBGAꢀ(6mmꢀ

xꢀ8mm)ꢀandꢀ44-PinꢀTSOPꢀ(TYPEꢀII).

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. B

12/18/12

12 3 4 5 6 7...15

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