5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IS62WV6416BLL-45B2I
IS62WV6416BLL-45B2I PDF预览

IS62WV6416BLL-45B2I

更新时间： 2024-11-18 18:34:51
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 105K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

IS62WV6416BLL-45B2I 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：6 X 8 MM, MINI, BGA-48针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.46
最长访问时间：45 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0长度：8 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：6 mm
Base Number Matches：1

IS62WV6416BLL-45B2I 数据手册

 浏览型号IS62WV6416BLL-45B2I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS62WV6416BLL-45B2I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS62WV6416BLL-45B2I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62WV6416BLL-45B2I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62WV6416BLL-45B2I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62WV6416BLL-45B2I的Datasheet PDF文件第7页 
®
IS62WV6416ALL  
IS62WV6416BLL  
ISSI  
PRELIMINARYINFORMATION  
APRIL2003  
64K x 16 LOW VOLTAGE,  
ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The ISSI IS62WV6416ALL/ IS62WV6416BLL are high-  
speed, 1M bit static RAMs organized as 64K words by 16  
bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS  
technology. This highly reliable process coupled with  
innovative circuit design techniques, yields high-  
performance and low power consumption devices.  
• High-speed access time: 45ns, 55ns  
• CMOS low power operation:  
30 mW (typical) operating  
15 µW (typical) CMOS standby  
• TTL compatible interface levels  
• Single power supply  
When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW  
(deselected) or when CS1 is LOW, CS2 is HIGH and both  
LBandUBareHIGH, thedeviceassumesastandbymode  
at which the power dissipation can be reduced down with  
CMOS input levels.  
1.65V--2.2V VDD (62WV6416ALL)  
2.5V--3.6V VDD (62WV6416BLL)  
Easy memory expansion is provided by using Chip Enable  
and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable  
(WE) controls both writing and reading of the memory. A  
data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)  
access.  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
• Three state outputs  
• Data control for upper and lower bytes  
• Industrial temperature available  
• 2CS Option Available  
TheIS62WV6416ALLandIS62WV6416BLLarepackaged  
intheJEDECstandard48-pinminiBGA(6mmx8mm)and  
44-Pin TSOP (TYPE II).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
64K x 16  
MEMORY ARRAY  
A0-A15  
DECODER  
V
DD  
GND  
I/O0-I/O7  
Lower Byte  
I/O  
DATA  
CIRCUIT  
COLUMN I/O  
I/O8-I/O15  
Upper Byte  
CS2  
CS1  
OE  
WE  
UB  
CONTROL  
CIRCUIT  
LB  
Copyright © 2003 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
PRELIMINARY INFORMATION Rev. 00B  
1
04/11/03  
1234567...17

中文翻译

下载PDF

与IS62WV6416BLL-45B2I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS62WV6416BLL-45BI ISSI

获取价格

 		64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV6416BLL-45BLI ISSI

获取价格

 		Standard SRAM, 64KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48
IS62WV6416BLL-45T ISSI

获取价格

 		64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV6416BLL-45TI ISSI

获取价格

 		64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV6416BLL-55B ISSI

获取价格

 		Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
IS62WV6416BLL-55B2I ISSI

获取价格

 		64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV6416BLL-55BI ISSI

获取价格

 		64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV6416BLL-55BLI ISSI

获取价格

 		64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV6416BLL-55T ISSI

获取价格

 		Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS62WV6416BLL-55TI ISSI

获取价格

 		64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

与IS62WV6416BLL-45B2I相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证