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IS63C1024-15KI

更新时间： 2024-09-13 19:11:07

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美国芯成 - ISSI		输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	206K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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IS63C1024-15KI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.31	最长访问时间：	15 ns
其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.955 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.683 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS63C1024-15TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32
IS63LV1024	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024_07	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-10J	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-10JI	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-10JI	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32,
IS63LV1024-10J-TR	ISSI	获取价格	SRAM
IS63LV1024-10K	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-10K	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32,
IS63LV1024-10KI	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT