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IS62LV25616LL-70BI

更新时间： 2024-02-04 23:41:05

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	88K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, MINI, BGA-48

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IS62LV25616LL-70BI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	8 X 10 MM, MINI, BGA-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.35 mm
最小待机电流：	1.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.15 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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IS62LV25616LL

256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA

LOW POWER CMOS STATIC RAM

ISSI

MAY 2001

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS62LV25616LL is high-speed, 4,194,304 bit

static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance

and low power consumption devices.

• High-speed access time: 70 and 85 ns

• CMOS low power operation

– 135 mW (typical) operating

– 16.5 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

WhenCEisHIGH(deselected)orwhenCEislowandbothLBand

UBareHIGH,thedeviceassumesastandbymodeatwhichthe

powerdissipationcanbereduceddownwithCMOSinputlevels.

•

Single 2.7V (min) to 3.15V (max) VCC power supply

• Fully static operation: no clock or refresh

required

EasymemoryexpansionisprovidedbyusingChipEnableand

OutputEnableinputs,CEandOE.TheactiveLOWWriteEnable

(WE)controlsbothwritingandreadingofthememory.Adatabyte

allowsUpperByte(UB)andLowerByte(LB)access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

The IS62LV25616LL is packaged in the JEDEC standard

44-pin TSOP (Type II) and 48-pin mini BGA (8mm x 10mm

and 7.2mm x 8.7mm).

• Available in the 44-pin TSOP (Type II) and

48-pin mini BGA (8mm x 10mm and 7.2mm x 8.7mm)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. A

05/04/01

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62LV25616LL-70M	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616LL-70MI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616LL-70T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV25616LL-70TI	ETC	获取价格	x16 SRAM
IS62LV25616LL-85B	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616LL-85BI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616LL-85M	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616LL-85MI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616LL-85T	ETC	获取价格	x16 SRAM
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