是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 8 X 10 MM, MINI, BGA-48 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.86 |
最长访问时间: | 85 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 10 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.35 mm |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS62LV25616LL-85M | ISSI |
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Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48 | |
IS62LV25616LL-85MI | ISSI |
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Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48 | |
IS62LV25616LL-85T | ETC |
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x16 SRAM | |
IS62LV25616LL-85TI | ETC |
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x16 SRAM | |
IS62LV256-45J | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM | |
IS62LV256-45JI | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM | |
IS62LV256-45N | ETC |
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x8 SRAM | |
IS62LV256-45NI | ETC |
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x8 SRAM | |
IS62LV256-45T | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM | |
IS62LV256-45TI | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM |