是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | REVERSE, TSOP1-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.4 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 11.8 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1-R |
封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00009 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS62LV256-70RTI | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM | |
IS62LV256-70T | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM | |
IS62LV256-70TI | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM | |
IS62LV256-70U | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM | |
IS62LV256-70UI | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM | |
IS62LV2568ALL-85TI | ISSI |
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Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 | |
IS62LV2568L | ICSI |
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256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM | |
IS62LV2568L-100B | ICSI |
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256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM | |
IS62LV2568L-100BI | ICSI |
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256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM | |
IS62LV2568L-100H | ICSI |
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256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM |