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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 85 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 8.7 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.3 mm | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.045 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.15 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.2 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS62LV25616LL-85TI | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
|
| IS62LV256-45J | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM |
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| IS62LV256-45JI | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM |
|
| IS62LV256-45N | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS62LV256-45NI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS62LV256-45T | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM |
|
| IS62LV256-45TI | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM |
|
| IS62LV256-45U | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM |
|
| IS62LV256-45UI | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM |
|
| IS62LV256-70J | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
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