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IS62LV256-45NI

更新时间: 2024-02-21 00:08:00
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 209K
描述
x8 SRAM

IS62LV256-45NI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:SOP, SOP28,.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0002 A最小待机电流:3.13 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.045 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IS62LV256-45NI 数据手册

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