5秒后页面跳转
IS62LV256-100TI PDF预览

IS62LV256-100TI

更新时间: 2024-01-30 00:29:00
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 661K
描述
x8 SRAM

IS62LV256-100TI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:SOP, SOP28,.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0002 A
最小待机电流:3.13 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IS62LV256-100TI 数据手册

 浏览型号IS62LV256-100TI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS62LV256-100TI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS62LV256-100TI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62LV256-100TI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62LV256-100TI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62LV256-100TI的Datasheet PDF文件第7页 

与IS62LV256-100TI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS62LV256-100UI ETC

获取价格

x8 SRAM
IS62LV25616ALL-70B ISSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616ALL-70BI ISSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616ALL-70M ISSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616ALL-70T ISSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV25616ALL-70TI ISSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV25616ALL-85BI ISSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616ALL-85M ISSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48
IS62LV25616ALL-85T ISSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV25616ALL-85TI ISSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44