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IS62LV25616ALL-70T

更新时间： 2024-09-24 14:51:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	56K
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

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IS62LV25616ALL-70T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.86
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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IS62LV25616ALL

256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA

LOW POWER CMOS STATIC RAM

ISSI

PRELIMINARYINFORMATION

MARCH2002

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS62LV25616ALL is high-speed, 4,194,304 bit

static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance

and low power consumption devices.

• High-speed access time: 70 and 85 ns

• CMOS low power operation

– 135 mW (typical) operating

– 16.5 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

WhenCEisHIGH(deselected)orwhenCEislowandbothLBand

UBareHIGH,thedeviceassumesastandbymodeatwhichthe

powerdissipationcanbereduceddownwithCMOSinputlevels.

•

Single 2.7V (min) to 3.45V (max) VCC power supply

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and

OutputEnableinputs,CEandOE.TheactiveLOWWriteEnable

(WE)controlsbothwritingandreadingofthememory.Adatabyte

allowsUpperByte(UB)andLowerByte(LB)access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

TheIS62LV25616ALLispackagedintheJEDECstandard

44-pin TSOP (Type II) and 48-pin mini BGA (8mm x 10mm

and 7.2mm x 8.7mm).

• Available in the 44-pin TSOP (Type II) and

48-pin mini BGA (8mm x 10mm and 7.2mm x 8.7mm)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ThisdocumentcontainsPRELIMINARYINFORMATIONdata. ISSIreservestherighttomakechangestoitsproductsatanytimewithoutnoticeinordertoimprovedesignandsupplythebestpossible

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. 00A

03/21/02

12 3 4 5 6 7...10

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IS62LV25616ALL-85M	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48
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