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IS61LV6424-10PQ

更新时间: 2024-11-17 14:42:55
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 391K
描述
Standard SRAM, 64KX24, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100

IS61LV6424-10PQ 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:PLASTIC, QFP-100
针数:100Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:10 ns其他特性:LOW POWER STANDBY MODE
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:1572864 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:24功能数量:1
端子数量:100字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX24输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QFP
封装等效代码:QFP100,.7X.9封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.22 mm
最大待机电流:0.02 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.19 mA
最大供电电压 (Vsup):3.63 V最小供电电压 (Vsup):2.97 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

IS61LV6424-10PQ 数据手册

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