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IS61LV6424-12TQ

更新时间： 2024-11-16 23:01:19

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	138K
描述
64K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS61LV6424-12TQ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最长访问时间：	12 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1572864 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	24
端子数量：	100	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX24	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

IS61LV6424-12TQ 数据手册

IS61LV6424

64K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

WITH 3.3V SUPPLY

FEATURES

DESCRIPTION

The ICSI IS61LV6424 is a high-speed, static RAM organized

as 65,536 words by 24 bits. It is fabricated using ICSI's high-

performance CMOS technology. This highly reliable process

coupled with innovative circuit design techniques, yields ac-

cess times as fast as 9 ns with low power consumption.

• High-speed access time: 9, 10, 12, 15 ns

• CMOS low power operation

— 594 mW (max.) operating @ 9 ns

— 36 mW (max.) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

When CE1 is HIGH and CE2 is LOW (deselected), the device

assumes a standby mode at which the power dissipation can

be reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and

Output Enable inputs, CE1, CE2, and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory.

• Three state outputs

• Available in 100-pin LQFP

The IS61LV6424 is packaged in the JEDEC standard

100-pin 14*20*1.4mm LQFP.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

GND

64K x 24

MEMORY ARRAY

ROW

DECODER

A0-A14

A15

X/Y

V/S

MULTIPLEX

ADDRESS

CONTROL

COLUMN

DECODER

CE1

CE2

CONTROL

CIRCUIT

I/O DATA

I/O0-I/O23

CIRCUIT

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

AHSR012-0D

S2-95

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61LV6424-15TQ	ICSI	获取价格	64K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV6424-15TQI	ETC	获取价格	x24 SRAM
IS61LV6424-9TQ	ICSI	获取价格	64K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV6424-9TQI	ETC	获取价格	x24 SRAM
IS61LV6432	ICSI	获取价格	64K x 32 SYNCHRONOUS PIPELINE STATIC RAM
IS61LV6432-117PQ	ICSI	获取价格	64K x 32 SYNCHRONOUS PIPELINE STATIC RAM
IS61LV6432-117PQ	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61LV6432-117PQI	ICSI	获取价格	64K x 32 SYNCHRONOUS PIPELINE STATIC RAM
IS61LV6432-117PQI	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
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