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IS61LV12816-15LQI

更新时间： 2024-11-23 22:18:27

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		/
页数	文件大小	规格书
11页	90K
描述
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS61LV12816-15LQI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP44,.47SQ,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.77	最长访问时间：	15 ns
其他特性：	TTL AND CMOS COMPATIBLE INTERFACE LEVELS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP44,.47SQ,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

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IS61LV12816

128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

WITH 3.3V SUPPLY

ISSI

NOVEMBER 2000

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV12816 is a high-speed, 2,097,152-bit static

RAM organized as 131,072 words bꢂ 16 bits. It is fabricated

ꢁsingISSI'shigh-performanceCMOStechnologꢂ. Thishighlꢂ

reliable process coꢁpled with innovative circꢁit design

techniqꢁes, ꢂields access times as fast as 8 ns with low power

consꢁmption.

• High-speed access time: 8, 10, 12, and 15 ns

• CMOS low power operation

• TTL and CMOS compatible interface levels

• Single 3.3V 10ꢀ power sꢁpplꢂ

• Fꢁllꢂ static operation: no clock or refresh

reqꢁired

When CE is HIGH (deselected), the device assꢁmes a

standbꢂ mode at which the power dissipation can be redꢁced

down with CMOS inpꢁt levels.

• Three state oꢁtpꢁts

• Data control for ꢁpper and lower bꢂtes

• Indꢁstrial temperatꢁre available

EasꢂmemorꢂexpansionisprovidedbꢂꢁsingChipEnableand

Oꢁtpꢁt Enable inpꢁts, CE and OE. The active LOW Write

Enable (WE) controls both writing and reading of the memorꢂ.

A data bꢂte allows Upper Bꢂte (UB) and Lower Bꢂte (LB)

access.

The IS61LV12816 is packaged in the JEDEC standard 44-pin

400-mil SOJ, 44-pin TSOP, 44-pin LQFP, and 48-pin mini

BGA (6mm x 8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its prodꢁcts at anꢂ time withoꢁt notice in order to improve design and sꢁpplꢂ the best possible prodꢁct. We assꢁme no responsibilitꢂ for anꢂ errors

Integrated Silicon Solution, Inc. — 11--880000--337799--44777744

Rev. A

11/30/00

12 3 4 5 6 7...11

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