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IS61C256AH-15N

更新时间： 2024-11-27 22:20:07

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	64K
描述
32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61C256AH-15N 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	15 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.306 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.572 mm
最大待机电流：	0.002 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

IS61C256AH-15N 数据手册

ISSI

IS61C256AH

32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

MAY 1999

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61C256AH is a very high-speed, low power,

32,768 word by 8-bit static RAMs. They are fabricated using

ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reli-

able process coupled with innovative circuit design tech-

niques, yields access times as fast as 10 ns maximum.

• High-speed access time: 10, 12, 15, 20, 25 ns

• Low active power: 400 mW (typical)

• Low standby power

— 250 µW (typical) CMOS standby

— 55 mW (typical) TTL standby

WhenCEisHIGH(deselected), thedeviceassumesastandby

mode at which the power dissipation can be reduced down to

250 µW (typical) with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V power supply

Easy memory expansion is provided by using an active LOW

ChipEnable(CE)inputandanactiveLOWOutputEnable(OE)

input. The active LOW Write Enable (WE) controls both writing

and reading of the memory.

The IS61C256AH is pin compatible with other 32K x 8 SRAMs

and are available in 28-pin PDIP, SOJ, and TSOP (Type I)

packages.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

32K X 8

MEMORY ARRAY

A0-A14

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors which

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

SR020-1O

05/24/99

12 3 4 5 6 7 8

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IS61C256AH-15N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KM68257CP-15	SAMSUNG	功能相似	32Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating(, Evolutionary Pin out. Operated at Commercia

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IS61C256AH-15TR	ETC	获取价格	x8 SRAM
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