Datasheet > 存储 > SRAM> IS61C256AH-20T

IS61C256AH-20T

更新时间： 2024-11-27 22:48:03

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美国芯成 - ISSI		/
页数	文件大小	规格书
8页	64K
描述
32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61C256AH-20T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1, TSSOP28,.53,22	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.22
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.002 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.135 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

IS61C256AH-20T 数据手册

ISSI

IS61C256AH

32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

MAY 1999

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61C256AH is a very high-speed, low power,

32,768 word by 8-bit static RAMs. They are fabricated using

ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reli-

able process coupled with innovative circuit design tech-

niques, yields access times as fast as 10 ns maximum.

• High-speed access time: 10, 12, 15, 20, 25 ns

• Low active power: 400 mW (typical)

• Low standby power

— 250 µW (typical) CMOS standby

— 55 mW (typical) TTL standby

WhenCEisHIGH(deselected), thedeviceassumesastandby

mode at which the power dissipation can be reduced down to

250 µW (typical) with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V power supply

Easy memory expansion is provided by using an active LOW

ChipEnable(CE)inputandanactiveLOWOutputEnable(OE)

input. The active LOW Write Enable (WE) controls both writing

and reading of the memory.

The IS61C256AH is pin compatible with other 32K x 8 SRAMs

and are available in 28-pin PDIP, SOJ, and TSOP (Type I)

packages.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

32K X 8

MEMORY ARRAY

A0-A14

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors which

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

SR020-1O

05/24/99

12 3 4 5 6 7 8

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